Serbuk Karbida Silikon Hitam Untuk Refraktori

Serbuk Silicon Carbide (SiC) adalah sebatian yang terdiri daripada atom silikon dan karbon. Ia mempunyai struktur kristal dan biasanya digunakan sebagai bahan yang melelas dan refraktori kerana sifat uniknya, seperti kekerasan yang tinggi, kekonduksian haba yang tinggi, dan pengembangan haba yang rendah.

Serbuk SiC boleh dihasilkan dengan beberapa kaedah, termasuk:

Proses Acheson: Dalam proses ini, campuran silikon dioksida (SiO2) dan karbon dipanaskan pada suhu tinggi dalam relau elektrik, menyebabkan tindak balas antara keduanya membentuk SiC.

Proses Lely: Dalam proses ini, SiC terbentuk melalui pemejalwapan campuran silikon dan karbon pada suhu tinggi, diikuti dengan pemeluwapan pada permukaan yang lebih sejuk.

Pemendapan wap kimia (CVD): Dalam proses ini, SiC didepositkan ke substrat melalui tindak balas gas yang mengandungi silikon (cth, silane) dan gas yang mengandungi karbon (cth, metana) pada suhu tinggi.