Teknologi Pembuatan Silicon Carbide
Bentuk:Bentuk Ketulan/Serbuk
Serbuk Silicon Carbide Untuk Refraktori
Description/kawalan
Penerangan
Silicon carbide (SiC) adalah bahan yang popular dalam dunia elektronik kerana sifat kimia dan fizikalnya yang unggul. Ia digunakan dalam pembuatan komponen elektronik seperti MOSFET, diod, dan modul kuasa.
Pembuatan SiC ialah proses kompleks yang memerlukan kepakaran dan peralatan khusus. Kaedah yang paling biasa digunakan untuk pengeluaran SiC ialah proses Acheson, yang melibatkan pemanasan campuran kok dan pasir dalam relau kalis elektrik. Tindak balas menghasilkan pembentukan kristal SiC yang kemudiannya dihancurkan dan disusun berdasarkan saiz dan kualitinya.
Kaedah lain yang digunakan untuk pembuatan SiC ialah proses pemendapan wap kimia (CVD). Kaedah ini melibatkan tindak balas antara gas reaktif seperti silane (SiH4) dan metana (CH4) dalam kebuk vakum. Tindak balas menghasilkan lapisan SiC pada substrat seperti wafer silikon.
Spesifikasi
| Model | Peratus komponen | |||
| 60# | SiC | F.C | Fe2O3 | |
| 65# | 60min | 15-20 | 8-12 | 3.5 maks |
| 70# | 65 min | 15-20 | 8-12 | 3.5 maks |
| 75# | 70 min | 15-20 | 8-12 | 3.5 maks |
| 80# | 75 min | 15-20 | 8-12 | 3.5 maks |
| 85# | 80 min | 3-6 | 3.5 maks | |
| 90# | 85 min | 2.5 maks | 3.5 maks | |
| 95# | 90min | 1.0maks | 1.2 maks | |
| 97# | 95min | 0.6 maks | 1.2 maks | |
Dalam beberapa tahun kebelakangan ini, teknologi pembuatan SiC telah maju dengan pengenalan kaedah pertumbuhan kristal SiC baharu seperti proses PVT (pengangkutan wap fizikal) dan HTCVD (pemendapan wap kimia terma dinding panas). Proses-proses ini membolehkan penghasilan kristal SiC yang lebih besar dan lebih seragam dengan kecacatan yang lebih sedikit berbanding dengan proses Acheson.
Industri pembuatan SiC terus berkembang berikutan peningkatan permintaan untuk peranti elektronik yang memerlukan kuasa tinggi, suhu tinggi dan prestasi frekuensi tinggi. Penggunaan komponen SiC boleh menangani permintaan ini dengan mengurangkan kehilangan kuasa, meningkatkan kecekapan, dan mengurangkan saiz dan berat.
Kesimpulannya, teknologi pembuatan SiC merupakan komponen penting dalam industri elektronik. Dengan kemajuan dalam kaedah pertumbuhan kristal SiC, kami boleh menjangkakan pengeluaran komponen SiC akan terus berkembang pada tahun-tahun akan datang. Ini akan menghasilkan peranti elektronik yang lebih cekap yang lebih sesuai untuk persekitaran berkuasa tinggi dan suhu tinggi.
Soalan Lazim
S: Bagaimana anda mengawal kualiti produk?
J: Kami mempunyai makmal kami sendiri dengan peranti ujian lanjutan. Produk akan diperiksa dengan ketat sebelum penghantaran, untuk menjamin bahawa barangan itu layak.
S: Adakah anda mengeluarkan saiz khas?
J: Ya, kami boleh membuat bahagian mengikut keperluan anda.
S: Adakah anda mempunyai stok dan apakah masa penghantaran?
A: Kami mempunyai stok tempat jangka panjang untuk memenuhi keperluan pelanggan. Kami boleh menghantar barang dalam 7 hari dan produk tersuai boleh dihantar dalam 15 hari.
S: Apakah MOQ perintah percubaan?
J: Tiada had, Kami boleh menawarkan cadangan dan penyelesaian terbaik mengikut keadaan anda.
Cool tags: teknologi pembuatan silikon karbida
Hantar pertanyaan
Anda mungkin juga berminat