Projek Silicon Carbide
Bentuk:Bentuk Ketulan/Serbuk
Serbuk Silicon Carbide Untuk Refraktori
Description/kawalan
Penerangan
Silicon Carbide (SiC) ialah bahan semikonduktor revolusioner yang mengubah wajah teknologi moden. SiC ialah bahan berprestasi tinggi dengan banyak faedah berbanding semikonduktor tradisional seperti silikon. Ia boleh menahan suhu yang lebih tinggi, voltan yang lebih tinggi dan frekuensi yang lebih tinggi, menjadikannya bahan yang sempurna untuk elektronik kuasa, sistem komunikasi satelit dan aplikasi berprestasi tinggi yang lain.
Projek Silicon Carbide, yang merupakan kerjasama bersama antara organisasi kerajaan, universiti dan syarikat swasta, sedang berusaha untuk menjadikan SiC sebagai bahan pilihan untuk peranti dan sistem elektronik. Projek ini bertujuan untuk membangunkan modul kuasa berasaskan SiC, penguat dan peranti lain yang boleh digunakan dalam pelbagai aplikasi.
Spesifikasi
| Model | Peratus komponen | |||
| 60# | SiC | F.C | Fe2O3 | |
| 65# | 60 min | 15-20 | 8-12 | 3.5 maks |
| 70# | 65 min | 15-20 | 8-12 | 3.5 maks |
| 75# | 70 min | 15-20 | 8-12 | 3.5 maks |
| 80# | 75min | 15-20 | 8-12 | 3.5 maks |
| 85# | 80 min | 3-6 | 3.5 maks | |
| 90# | 85 min | 2.5 maks | 3.5 maks | |
| 95# | 90 min | 1.0maks | 1.2 maks | |
| 97# | 95 min | 0.6 maks | 1.2 maks | |
Salah satu faedah utama SiC berbanding semikonduktor tradisional ialah keupayaannya untuk beroperasi pada suhu yang lebih tinggi. Peranti SiC boleh beroperasi sehingga 600 darjah , suhu yang tidak boleh dicapai untuk elektronik berasaskan silikon tradisional. Ini bermakna ia boleh digunakan dalam persekitaran yang keras seperti penerokaan minyak dan gas serta aplikasi aeroangkasa.
Satu lagi kelebihan SiC ialah keupayaannya untuk menahan voltan dan frekuensi yang lebih tinggi. Peranti SiC boleh mengendalikan voltan sehingga 10 kali lebih tinggi daripada peranti berasaskan silikon tradisional, dan boleh beroperasi pada frekuensi sehingga 100 kali lebih tinggi. Ini menjadikannya sempurna untuk digunakan dalam pemacu motor berkelajuan tinggi, bekalan kuasa mod suis dan aplikasi berprestasi tinggi yang lain.
Projek Silicon Carbide juga sedang berusaha ke arah membangunkan transistor dan penguat berasaskan SiC yang boleh digunakan dalam sistem komunikasi satelit. SiC ialah bahan yang sesuai untuk aplikasi ini kerana ia boleh beroperasi pada frekuensi tinggi, yang diperlukan untuk sistem komunikasi satelit. Penguat berasaskan SiC juga lebih kecil dan lebih cekap daripada penguat berasaskan silikon tradisional, menjadikannya pilihan yang sempurna untuk misi angkasa lepas.
Projek Silicon Carbide telah mencapai kemajuan yang ketara dalam pembangunan peranti kuasa berasaskan SiC, penguat dan peranti elektronik lain. Walau bagaimanapun, masih banyak lagi kerja yang perlu dilakukan untuk menjadikan SiC sebagai bahan arus perdana. Kos pembuatan peranti berasaskan SiC masih tinggi, dan teknologinya belum cukup matang untuk pengeluaran besar-besaran. Tetapi dengan penyelidikan dan pembangunan yang berterusan, SiC ditetapkan untuk menjadi bahan pilihan untuk aplikasi berprestasi tinggi, mengubah wajah teknologi moden selama-lamanya.
Soalan Lazim
S: Adakah anda seorang pengilang atau peniaga?
A: Kami adalah pembuatan.
S: Bagaimanakah kualiti produk?
A: Produk akan diperiksa dengan ketat sebelum penghantaran, jadi kualiti boleh dijamin.
S: Bagaimana pula dengan pensijilan syarikat anda?
A: ISO9001 dan Laporan Ujian.
S: Apakah MOQ perintah percubaan?
J: Tiada had, Kami boleh menawarkan cadangan dan penyelesaian terbaik mengikut keadaan anda.
S: Adakah anda menyediakan sampel?
J: Ya, sampel boleh didapati.
Cool tags: projek silikon karbida
Hantar pertanyaan
Anda mungkin juga berminat
