Karbida Silikon Semikonduktor Celah Jalur Lebar

Spesifikasi

Jurang jalur lebar SiC membolehkan pembangunan peranti elektronik voltan tinggi dan berkuasa tinggi. Peranti berasaskan SiC boleh mengendalikan medan elektrik dan suhu yang lebih tinggi tanpa mengalami kerosakan atau degradasi. Harta ini menjadikan SiC sangat sesuai untuk aplikasi dalam elektronik kuasa, di mana penukaran tenaga yang cekap dan keupayaan pengendalian kuasa tinggi diperlukan.

Wide Bandgap Semiconductor Silicon Carbide. Jurang jalur lebar SiC juga menyumbang kepada kepekatan pembawa intrinsik yang lebih rendah, mengurangkan kerentanan kepada pengujaan terma dan membolehkan peranti dengan arus bocor yang lebih rendah. Ini membawa kepada prestasi peranti yang lebih baik, kehilangan kuasa yang berkurangan dan kecekapan yang dipertingkatkan dalam pelbagai sistem elektronik.

►Zhenan Ferroalloyterletak di Bandar Anyang, Wilayah Henan, China. Ia mempunyai pengalaman pengeluaran selama 20 tahun. Ferrosilikon berkualiti tinggi boleh dihasilkan mengikut keperluan pengguna.

►Zhenan Ferroalloymempunyai pakar metalurgi mereka sendiri, komposisi kimia ferrosilicon, saiz zarah dan pembungkusan boleh disesuaikan mengikut keperluan pelanggan.

►Kapasiti ferrosilicon ialah60000 tan setahun,bekalan stabil dan penghantaran tepat pada masanya.

►Kawalan kualiti yang ketat, terima pemeriksaan pihak ketigaSGS,BV,dan lain-lain.

►Mempunyai kelayakan import dan eksport bebas.

Kami berusaha untuk melebihi jangkaan dan memastikan peniaga dan pengguna akhir kami kekal berdaya saing.

Kami tidak akan berhenti meningkatkan kualiti dan perkhidmatan produk kami.

Soalan Lazim