Apakah perbezaan antara polysilicon dan silikon kristal?
Tinggalkan pesanan
Apakah perbezaan antara silikon monocrystalline dan silikon polikristalin?
| Harta | Silikon monocrystalline | Silikon polikristalin |
|---|---|---|
| Struktur kristal | Kekisi kristal tunggal yang berterusan | Pelbagai kristal kecil dengan sempadan bijian |
| Kaedah pembuatan | Proses Czochralski (perlahan, kemelut tinggi) | Casting silikon cair (lebih cepat, kos efektif) |
| Kecekapan (solar) | 15-24% (penukaran tenaga yang lebih tinggi) | 13-18% (lebih rendah disebabkan oleh kecacatan bijirin) |
| Sisa bahan | ~ 50% kerugian semasa memotong jongkong silinder | Sisa minimum (pencetakan langsung) |
| Penampilan | Warna hitam gelap seragam | Permukaan biru berbintik -bintik |
Apakah perbezaan antara polysilicon dan silikon kristal?
Penjelasan: "Polysilicon" vs "Silicon Crystallized"
Polysilicon (poly-Si): sinonim dengansilikon polikristalin, merujuk kepada silikon mengukuhkan ke dalam pelbagai bijirin kristal.
Silikon kristal: bukan istilah teknikal standard; biasanya menyiratkan sama adamonocrystalline(sepenuhnya kristal) atauPolycrystalline(sebahagiannya kristal) silikon. Konteks industri menggunakan "silikon polikristalin" secara eksklusif.
Apakah bahan mentah untuk silikon polikristalin?
Bahan mentah untuk pengeluaran silikon polikristalin
Input utama termasuk:
Silikon gred logam (mg-si): ~ 98% tulen, berasal dari pengurangan kuarzit dalam relau arka.
Pembersih kimia: Sebatian klorin (misalnya, sihcl₃) untuk penghalusan proses siemens.
Kristal benih: Serpihan untuk memulakan pemejalan terkawal dalam acuan pemutus.
Adakah konduktif silikon polikristalin?
Kekonduksian elektrik silikon polikristalin
Keadaan yang wujud: Poly-Si tulen adalah Semikonduktor-tingkah laku sebagai penebat pada sifar mutlak tetapi memperoleh kekonduksian dengan pengujaan haba/cahaya.
Ketergantungan doping: Kekonduksian boleh disesuaikan:
Fosforus doping→ N-jenis (pengaliran elektron)
Doping boron→ p-jenis (pengaliran lubang)
Impak sempadan bijian: Crystal Interfaces Scatter Carriers, mengurangkan mobiliti berbanding mono-Si. Pengaliran di sempadan mengikuti pelepasan Poole-Frenkel di bawah bidang yang tinggi.
Metrik prestasi utama
Pergerakan elektron: mono-si: ~ 1,400 cm²/v · s|Poly-si:<800 cm²/V·s
Kestabilan terma: Poly-Si mengekalkan integriti struktur sehingga 1,400 darjah, kritikal untuk proses Temp Tinggi.
Penguasaan Perindustrian: Poly-Si constitutes >80% daripada jumlah silikon gred solar disebabkan oleh pengeluaran berskala.
Kecekapan unggul Mono-Si membenarkan penggunaannya dalam aplikasi elektronik dan ruang premium, sementara Poly-Si menguasai ladang solar daratan melalui penggunaan kos yang didorong oleh kos.
Lawatiferro-lilicon-loy.comUntuk mengetahui lebih lanjut mengenai produk. Sekiranya anda ingin mengetahui lebih lanjut mengenai harga produk atau berminat untuk membeli, sila hantarkan e -mel keinfo@zaferroalloy.com. Kami akan menghubungi anda sebaik sahaja kami melihat mesej anda.
